Как стало известно, исследователи института Samsung открыли новый материал для создания новейшей памяти, который назвали аморфным нитридом бора (a-BN).

Стоит отметить, что данное открытие стало возможным благодаря содействию специалистов Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета — именно они помогали ученым из Samsung в поисках необходимого материала. По данным самих авторов открытия, аморфный нитрид бора в конечном итоге способен заметно приблизить появление полупроводниковых материалов следующего поколения, которые и будут использоваться в новейших DRAM (оперативная память) и NAND (флеш-память).

В качестве необычных плюсов нового материала можно отметить возможность его использования в качестве изолирующего материала, сводящего к минимуму электрические помехи, а также возможность его “выращивания” на пластинах при сравнительно низкой температуре 400°C.

Источник статьи: www.ferra.ru