Компания Sony сообщила о разработке первого в отрасли трехслойного датчика изображения типа CMOS со встроенной памятью DRAM. Датчик предназначен для камер смартфонов.

По устройству датчик напоминает двухслойные датчики с обратной засветкой, в которых кристалл датчика со светочувствительными элементами расположен поверх кристалла с цепями обработки сигнала. Отличием является третий слой — кристалл памяти DRAM.

Наличие памяти DRAM позволяет повысить скорость считывания данных

Наличие памяти DRAM существенно повышает быстродействие датчика. Новая схема считывания обеспечивает скорость, позволяющую получить изображение разрешением 19,3 Мп всего за 1/120 с. В результате становятся доступными такие возможности, как съемка быстродвижущихся объектов с минимальными искажениями в фокальной плоскости, а также видеосъемка с кадровой частотой до 1000 к/с (примерно в восемь раз выше, чем у обычных датчиков) при разрешении Full HD (1920 x 1080 пикселей).

Когда трехслойные датчики появятся в ассортименте компании, пока неизвестно.

Источник: Sony

Теги:

Комментировать

Источник статьи: www.ixbt.com


Комментарии:

Оставьте комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован

Вы можете использовать эти HTML теги и атрибуты: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

Пожалуйста введите ответ (Анти робот) * Лимит времени истёк. Пожалуйста, перезагрузите CAPTCHA.